Nand flash

 

LUN → CE → Die → Plane → Bank → Block → Page​

Block 是擦除操作的最小单位 Page 是读写操作的最小单位,常见的Nand Flash多数是2KB,最新的是4KB、8KB 硬件电路只支持 “一次性操作一个 Page 的所有单元”，因此读写必须以 Page 为单位。 写入前必须先擦除对应的Block 栅极堆叠（Gate-Stacked） 和沟道堆叠（Channel-Stacked）两种结构均需解决 “垂直互联”，如何连接不同层的字线 WL 和位线 BL

 

WL（Word Line，字线）

位置：WL 是平行于浮栅晶体管控制栅的金属或多晶硅连线，贯穿整个存储阵列的行方向（类似 “横线”）。 连接方式：同一行（Row）中所有浮栅晶体管的控制栅都与同一条 WL 相连。一个 Page 内的所有存储单元通常属于同一行，共享一条 WL。 写入：向 WL 施加高电压（如 10-20V），通过 “热电子注入” 或 “F-N 隧穿效应”，将电子注入浮栅（存储 “0”）。 读取：向 WL 施加中等电压（如 2-5V），根据晶体管是否导通判断浮栅是否带电荷（即区分 “0” 和 “1”）。 擦除：擦除操作针对整个 Block（块），此时 WL 接地，衬底施加高电压，通过 F-N 隧穿效应让浮栅释放电荷（恢复为 “1”）。

 

BL（Bit Line，位线）

位置：BL 是垂直于 WL 的金属连线，沿存储阵列的列方向延伸（类似 “竖线”）。 连接方式：同一列（Column）中所有浮栅晶体管的漏极通过接触孔（Contact）与同一条 BL 相连。 材料：通常采用铝或铜，以降低连线电阻，提高信号传输速度。 BL 是数据信号的 “传输通道”，负责将存储单元的状态（导通 / 截止）转化为电信号并传递给外部电路 一条 BL 对应一列存储单元，每列中的每个单元对应一个 “位”（bit）